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TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 800mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

About The : +125°C, Betriebstemperatur min.5 x 0

TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 nH 800mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 110mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MHQ1005P4N7ST000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 800mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 800mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

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