ROHM RQ1A070AP RQ1A070APTR P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 7 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 0 bis -8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RQ1A070AP RQ1A070APTR P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 7 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
Specifications of ROHM RQ1A070AP RQ1A070APTR P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 7 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8 | |
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