Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC

Name: Vishay, Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand Max.: 58 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm
Brand: Vishay
SKU: ABDV-488434
Price: 81.16 EUR
Availability: InStock

About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm

Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Festo PUN Polyurethan Spiralschlauch Blau, Innen-Ø 2.6mm x 1m, 10bar, Rohraußendurchmesser: 4mm, Betriebstemperatur (min.): -35°C, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Anzahl der Wicklungen: 45, MPN: PUN-4X0,75-S-1-BL

RS PRO Polymer Widerstand 1.5kΩ 5% / 1.5W, 2512 (6432M) Gehäuse

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC
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Last Updated January 20th, 2025 06:24 am

Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC

More Varieties

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MEAN WELL Schaltnetzteil, AUS 27.1 V dc, 27.6 V dc / 5 A, 500 mA 2-Kanal 151.5W, EIN 124 → 370 V dc, 88 →, Eingangsspannung: 124 → 370 V dc, 88 → 264 V ac, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäusetyp: Geschlossen, Länge: 199mm, Breite: 110mm, Tiefe: 50mm, Wirkungsgrad: 84%, Temperatur max.: +60°C, Temperatur min.: -10°C, Gewicht: 880g, MPN: AD-155B

MEAN WELL Schaltnetzteil, AUS 27.1 V dc, 27.5W, EIN 124 → 370 V dc, 88 →.6 V dc / 5 A, 500 mA 2-Kanal 151.

RS PRO Polymer Widerstand 16kΩ 5% / 1.5W, 2512 (6432M) Gehäuse

5W, 2512 (6432M) Gehäuse.RS PRO Polymer Widerstand 16kΩ 5% / 1.

Ruland Kupplung, Klauenkupplung, Außen-Ø 41.3mm / Bohrung 12mm x 53mm, Befestigung Typ: Klemme, MPN: MJCC41-12-A

3mm / Bohrung 12mm x 53mm.

Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60Hz, Länge: 25mm, Tiefe: 89.5mm, Höhe: 85mm, Abmessungen: 25 x 89.5 x 85mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, Widerstand: 8mΩ, MPN: 3-103-678

55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz.Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.

Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60Hz, Länge: 25mm, Tiefe: 89.5mm, Höhe: 85mm, Abmessungen: 25 x 89.5 x 85mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, Widerstand: 8mΩ, MPN: 3-103-678

55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz.Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.

Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC

About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 MW, 8-Pin SOIC

RS PRO Polymer Widerstand 16kΩ 5% / 1.5W, 2512 (6432M) Gehäuse

Ruland Kupplung, Klauenkupplung, Außen-Ø 41.3mm / Bohrung 12mm x 53mm, Befestigung Typ: Klemme, MPN: MJCC41-12-A

Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60Hz, Länge: 25mm, Tiefe: 89.5mm, Höhe: 85mm, Abmessungen: 25 x 89.5 x 85mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, Widerstand: 8mΩ, MPN: 3-103-678

Schurter FPBB Netzfilter, 250 V ac/dc, 16A, DIN-Schiene 1.55W, 1-phasig 0,5 mA / 50Hz, Betriebsfrequenz: 50 Hz, 60Hz, Länge: 25mm, Tiefe: 89.5mm, Höhe: 85mm, Abmessungen: 25 x 89.5 x 85mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, Widerstand: 8mΩ, MPN: 3-103-678