Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 6.22mm
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Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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