Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236), Drain-Source-Widerstand max.: 156 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.02mm
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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23 | |
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