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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 6,8 μH 135mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 90MHz

About The 2mm / ±10%, 90MHz, Tiefe: 2.2 x 2

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 6,8 μH 135mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 90MHz, Tiefe: 2.5mm, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2mm, Gleichstromwiderstand max.: 2.8Ω, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82422A1682K100

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 6,8 μH 135mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 90MHz

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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 6,8 μH 135mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 90MHz

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