Nexperia BSH201,215 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Nexperia BSH201,215 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 417 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Nexperia BSH201,215 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 417 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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