Toshiba U-MOSVIII-H TPH11006NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba U-MOSVIII-H TPH11006NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP
Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H TPH11006NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP | |
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