Infineon IPD25CN10N G IPD25CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon IPD25CN10N G IPD25CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon IPD25CN10N G IPD25CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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