ROHM RUF020N02 RUF020N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 MW, 3-Pin SOT-323
About The : -10 V, +10 V, Länge: 2.ROHM RUF020N02 RUF020N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max
ROHM RUF020N02 RUF020N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 240 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RUF020N02 RUF020N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of ROHM RUF020N02 RUF020N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 800 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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