Toshiba DTMOSIV TK17A80W,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 290 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba DTMOSIV TK17A80W,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba DTMOSIV TK17A80W,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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