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Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

About The Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 10

Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Specifications of Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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