Onsemi QFET FQPF5N50CYDTU N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 38 W, 3-Pin TO-220F

Name: Onsemi | Onsemi QFET FQPF5N50CYDTU N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand Max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Brand: onsemi
SKU: ABDV-523210
Price: 13.95 EUR
Availability: InStock

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onsemi QFET FQPF5N50CYDTU N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Panasonic ERJ8RQ Dickschicht SMD-Widerstand 2.2Ω ±1% / 0.25W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ8RQF2R2V

Panasonic ERJ12Z Dickschicht SMD-Widerstand 3.9Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ12ZQF3R9U

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi QFET FQPF5N50CYDTU N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 38 W, 3-Pin TO-220F
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Last Updated January 17th, 2025 08:52 am

Onsemi QFET FQPF5N50CYDTU N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 38 W, 3-Pin TO-220F

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KEMET A750, THT Elektrolyt Polymerkondensator 220μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm, -55°C → +105°C, Kapazität: 220µF, Materialfamilie des Dielektrikums: Aluminium, Spannung: 25V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Äquivalenter Serienwiderstand: 15mΩ, Anschlussraster: 3.5mm, Höhe: 12mm, Abmessungen: 8 (Dia) x 12mm, Elektrolyt-Typ: Fest, Verlustleistungsfaktor: 12%, MPN: A750KS227M1EAAE015

KEMET A750, THT Elektrolyt Polymerkondensator 220μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm, -55°C → +105°C.

Panasonic ERJ1T Dickschicht SMD-Widerstand 3.9Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ1TRQF3R9U

9Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse.

Saia-Burgess Mikroschalter Kurzer Hebel-Betätiger Lötanschluss, 5 A @ 250 V ac, SPDT IP 67 0,9 N -40°C - +85°C, Kontaktmaterial: Feines Silber, Gehäusematerial: Nylon glasfaserverstärkt, Lebensdauer mechanisch: 5000000Operations, Schalt-Lösekraft: 0.07N, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, MPN: V4NST7Y1UL

Saia-Burgess Mikroschalter Kurzer Hebel-Betätiger Lötanschluss, 5 A @ 250 V ac, SPDT IP 67 0,9 N -40°C - +85°C.

Bahco, SW 30 x 36 mm Doppelgabelschlüssel doppelseitig Legierungsstahl, Länge 305 mm, Metrisch oder zöllig: metrisch, Metrische Größe: 30 mm, 36mm, Doppelseitig: Ja, Finish: Rotguss, MPN: 895M-30-36

Bahco, SW 30 x 36 mm Doppelgabelschlüssel doppelseitig Legierungsstahl, Länge 305 mm.

Vishay 58 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 63V dc, Ø 35mm x 40mm, bis 105°C, Kapazität: 4700µF, Spannung: 63V dc, Abmessungen: 35 (Dia.) x 40mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, Lebensdauer: 5000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 60mΩ, Leckstrom: 596 μA, 1781 μA, Brummstrom: 3.65A, MPN: MAL205858472E3

Vishay 58 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 63V dc, Ø 35mm x 40mm, bis 105°C.

Panasonic ERJ12Z Dickschicht SMD-Widerstand 3.9Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ12ZQF3R9U

9Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse.Panasonic ERJ12Z Dickschicht SMD-Widerstand 3.