Infineon HEXFET IRFB3006PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFB3006PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRFB3006PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |