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Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin

About The Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin, Organisation: 512 KB x 16 bit, Zugriffszeit max.4 x 0

Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin, Organisation: 512 KB x 16 bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 0.93 x 0.4 x 0.12mm, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Länge: 0.93mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY7C1049GN-10VXI

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin

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Specifications of Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin

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    • Samsung Electro-Mechanics Samsung, CL, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 1μF ±10% / 16V dc, Gehäuse 0402 (1005M), Kapazität: 1µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Länge: 1mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CL05A105KO5NNNC
    • Eaton Bussmann Sicherung UK-Norm A2, 550V ac / 32A, gG BS88, IEC 60269, Lochabstand 73mm, Betriebsspannung: 550V ac, Breite Kontaktklingen: 8.7mm, Hohes Schaltvermögen: Ja, Gesamtlänge: 85mm, Gehäusedurchmesser: 13.7mm, Aufnahme: Bolzen, Gehäuselänge: 35.5mm, Ausrichtung: Versetzt, Sicherungsabmessungen: 13.7 x 35.5mm, MPN: AAO32
    • RS PRO Damen Sicherheitsstiefel Beige, mit Glasfaser-Schutzkappe EN20345 S3, Größe 39 / UK 6, Schuhgröße US: 7, Farbe: Honig, Zehenschutzkappe: Ja, Antistatik: Nein, Verschlussart: Schnüren, Zwischensohle: Verbundstoff
    • Phoenix Contact Leiterplattenklemme MK3DS 1/ 2-3,81, MPN: 1727735

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    • Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin, Organisation: 512 KB x 16 bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 0.93 x 0.4 x 0.12mm, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Länge: 0.93mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY7C1049GN-10VXI
    • Vishay CRCW-IF,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0603100KJNEAIF
    • Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 36-Pin, Organisation: 512 KB x 16 bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 0.93 x 0.4 x 0.12mm, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Länge: 0.93mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY7C1049GN-10VXI
    • Vishay CRCW-IF,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0603100KJNEAIF