Infineon CoolMOS C3 SPP11N60C3HKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 8.64mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon CoolMOS C3 SPP11N60C3HKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS C3 SPP11N60C3HKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-220 | |
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