Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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