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Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS

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Specifications of Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS

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