Infineon HEXFET IRFB4610PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 73 A 190 W, 3-Pin TO-220AB
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRFB4610PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 73 A 190 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFB4610PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 73 A 190 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET IRFB4610PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 73 A 190 W, 3-Pin TO-220AB | |
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