onsemi PowerTrench FDY1002PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 830 mA 625 mW, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi PowerTrench FDY1002PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 830 MA 625 MW, 6-Pin SC-89-6
Specifications of Onsemi PowerTrench FDY1002PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 830 MA 625 MW, 6-Pin SC-89-6 | |
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