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ROHM R6020KNZ4 R6020KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-247

About The : 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.24mm, Betriebstemperatur max

ROHM R6020KNZ4 R6020KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 16.24mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM R6020KNZ4 R6020KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of ROHM R6020KNZ4 R6020KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-247

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