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Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband Doppelseitig, Weiß, Stärke 1.6mm, 25mm X 25m, 19 N/cm

About The Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband doppelseitig, Weiß, Stärke 1.: +80°C, Haftfestigkeit unbeschichtete Seite: 10N/cm, MPN: tesa 62936 25m x 25mm

Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband doppelseitig, Weiß, Stärke 1.6mm, 25mm x 25m, 19 N/cm, Trägermaterial: PE Schaum, Klebermaterial: Acryl, Zugfestigkeit: 9N/cm, Betriebstemperatur max.: +80°C, Haftfestigkeit unbeschichtete Seite: 10N/cm, MPN: tesa 62936 25m x 25mm

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Klebstoffe & Dichtmittel & Klebebänder > Klebebänder > Schaumstoff Klebebänder

Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband Doppelseitig, Weiß, Stärke 1.6mm, 25mm X 25m, 19 N/cm

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Specifications of Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband Doppelseitig, Weiß, Stärke 1.6mm, 25mm X 25m, 19 N/cm

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Tesa 62936 Schaumstoff-Klebeband Doppelseitig, Weiß, Stärke 1.6mm, 25mm X 25m, 19 N/cm
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Alps Alpine RK09L THT, Tafelmontage Dreh Potentiometer 10kΩ ±20% / 0.05W, Schaft-Ø 6 mm, Potenziometer Typ: Drehbar, Widerstandselement: Linear, Montageart: Frontplattenmontage, Durchsteckmontage, Schaftlänge: 20mm, Betätigungselementtyp: Flache Achse, MPN: RK09L1140A2U
    • Vishay SQM40041EL_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A 157 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • RS PRO USB-Kabel, USBA / USBA, 12m USB 2.0 Schwarz, USB-Kabeltyp: USB-Verlängerungskabel, Gender Steckverbinder 1: Stecker, Gender Steckverbinder 2: Buchse, Anschluss A: USB A
    • Vishay SIHB22N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 182 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
    • Vishay SIHB22N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 182 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V