Vishay SIHA22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 182 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SIHA22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Vishay SIHA22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220 | |
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