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Vishay TVS-Diode Bi-Directional Einfach 18.2V 12.4V Min., 3-Pin, SMD 11V Max TO-277A

About The 2V 12.35 x 1

Vishay TVS-Diode Bi-Directional Einfach 18.2V 12.4V min., 3-Pin, SMD 11V max TO-277A, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 1500W, Impulsspitzen-Strom max.: 82.4A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Betriebstemperatur max.: +185 °C, Abmessungen: 6.15 x 4.35 x 1.2mm, MPN: TPC13CAHM3/H

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Suppressordioden TVS

Vishay TVS-Diode Bi-Directional Einfach 18.2V 12.4V Min., 3-Pin, SMD 11V Max TO-277A

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Specifications of Vishay TVS-Diode Bi-Directional Einfach 18.2V 12.4V Min., 3-Pin, SMD 11V Max TO-277A

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Vishay TVS-Diode Bi-Directional Einfach 18.2V 12.4V Min., 3-Pin, SMD 11V Max TO-277A
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Wurth Elektronik Würth Elektronik 2432 Printklemme / Stecker Horizontal, PCB, 9-polig / 1-reihig, Raster 7mm, Montagetyp: Leiterplattenmontage, Gender: Male, Anschlussart: Löten, Typ: Leiterplattenleiste, Nennstrom: 10A, Farbe: Grün, Betriebsspannung: 1,6 kV, 2,5 kV, 300 V ac, 450 V ac, Material: Nylon 6.6, Tiefe: 9.1mm, Länge: 59.5mm, MPN: 691243210009
    • Teng Tools 1/2 Zoll Tiefe Buchse Steckschlüsseleinsatz SW 18mm 6-Punkt x 79 mm, Metrisch oder zöllig: metrisch, MPN: M1206186-C
    • DiodesZetex SMD Schottky Diode, 50V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 700mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: B150-13-F
    • Nexperia 2N7002BKS,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 445 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Nexperia 2N7002BKS,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 445 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C