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Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

About The : 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10

Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
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SMC MAINTENANCE KIT, MPN: CG1A25-PS

SMC MAINTENANCE KIT, MPN: CG1A25-PS

SMC MAINTENANCE KIT, CG1A25-PS.

    • Panasonic ECWF(A) Folienkondensator 1μF ±5% / 450V dc, THT Raster 15mm, Kapazität: 1µF, Spannung: 450V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 18.1mm, Tiefe: 9.3mm, Höhe: 12.6mm, Abmessungen: 18.1 x 9.3 x 12.6mm, Dielektrikum: Polypropylen, Anschlussdurchmesser: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: ECWF2W105JA
    • onsemi Power Switch IC Last 50mΩ 5,5 V max. 1 Ausg.

    onsemi Power Switch IC Last 50mΩ 5,5 V max. 1 Ausg.

    onsemi Power Switch IC Last 50mΩ 5,5 V max.2 x 1.: +125 °C, Betriebstemperatur min., Netzschalter-Typ: Lastschalter, Spannung: 1.

    • Eaton Fulleon LED Alarm-Leuchtmelder Rot, IP Schutzart: IP69, Modellnummer: X10 /CE/M2B/RL, MPN: X10/CE/M2B/RL
    • StarTech.com Express-Karte USB-Karte, 2 Port, USB A, USB 3.0, MPN: ECUSB3S254F
    • Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 25A 1000V THT TS-6PL Quad, MPN: T25JA07G-K

    Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 25A 1000V THT TS-6PL Quad, MPN: T25JA07G-K

    Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 25A 1000V THT TS-6PL Quad.

    • Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • KEMET PHE850 Y2 Folienkondensator 220nF ±20% / 1.25 kV dc, 300 V ac, THT Raster 22.5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 26mm, Tiefe: 13.5mm, Höhe: 23mm, Abmessungen: 26 x 13.5 x 23mm, Dielektrikum: Metallisiertes Polypropylen, Anschlussklemmentyp: Radial, Anschlussdurchmesser: 0.8mm, MPN: PHE850ED6220MD20R06L2
    • Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • KEMET PHE850 Y2 Folienkondensator 220nF ±20% / 1.25 kV dc, 300 V ac, THT Raster 22.5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 26mm, Tiefe: 13.5mm, Höhe: 23mm, Abmessungen: 26 x 13.5 x 23mm, Dielektrikum: Metallisiertes Polypropylen, Anschlussklemmentyp: Radial, Anschlussdurchmesser: 0.8mm, MPN: PHE850ED6220MD20R06L2