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IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C

IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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