Vishay E SIHA21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7,5 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,205 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V
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Vishay E SIHA21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7,5 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Vishay E SIHA21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7,5 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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