Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 14,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC | |
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