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ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,665 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,665 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Eclipse Magnetband, glatt, Stärke 4.6mm B.

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    • Eaton Direktstarter, MSC-D-12-M12(230V50HZ), MPN: 283148

    Eaton Direktstarter, MSC-D-12-M12(230V50HZ), MPN: 283148

    Eaton Direktstarter, MSC-D-12-M12(230V50HZ).

    • Eaton Direktstarter, MSC-D-1,6-M7(230V50HZ), MPN: 283140

    Eaton Direktstarter, MSC-D-1,6-M7(230V50HZ), MPN: 283140

    Eaton Direktstarter, MSC-D-1,6-M7(230V50HZ).

    • ABB KLEINHILFSSCHUETZ K6-40E-P 380-415V40-45, MPN: GJH1211009R8405

    ABB KLEINHILFSSCHUETZ K6-40E-P 380-415V40-45, MPN: GJH1211009R8405

    ABB KLEINHILFSSCHUETZ K6-40E-P 380-415V40-45.

    • Bosch Rexroth Verstellbarer Fuß Typ einstellbarer Fuß, MGE, M8, 10mm Galvanisierter Stahl, Passend für Strebenprofil: 30 mm, Passende Nutgröße: 10mm, 8mm, MPN: 3842502257
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    • Phoenix Contact PH 1.5/S/14 Kabelgehäuse, MPN: 3212866

    Phoenix Contact PH 1.5/S/14 Kabelgehäuse, MPN: 3212866

    Phoenix Contact PH 1.5/S/14 Kabelgehäuse.

    • ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,665 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
    • Phoenix Contact PH 1.5/S/14 Kabelgehäuse, MPN: 3212866

    Phoenix Contact PH 1.5/S/14 Kabelgehäuse, MPN: 3212866

    5/S/14 Kabelgehäuse.Phoenix Contact PH 1.

    • ROHM R6507END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,665 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V