Onsemi PowerTrench FDP8896 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 16 A 80 W, 3-Pin TO-220AB
About The onsemi PowerTrench FDP8896 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 16 A 80 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1
onsemi PowerTrench FDP8896 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 16 A 80 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDP8896 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 16 A 80 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDP8896 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 16 A 80 W, 3-Pin TO-220AB | |
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