Infineon IPD IPD90N04S4L04ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The Infineon IPD IPD90N04S4L04ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0038 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon IPD IPD90N04S4L04ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0038 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPD IPD90N04S4L04ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon IPD IPD90N04S4L04ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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