Onsemi QFET FQD5N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,8 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 73mm.onsemi QFET FQD5N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,8 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
onsemi QFET FQD5N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,8 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQD5N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,8 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi QFET FQD5N60CTM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,8 A 49 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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