Onsemi MJD45H11-1G THT, PNP Transistor –80 V / -8 A 20 MHz, IPAK (TO-251) 3-Pin
About The : 5 V, Abmessungen: 6.22mm, Betriebstemperatur max
onsemi MJD45H11-1G THT, PNP Transistor –80 V / -8 A 20 MHz, IPAK (TO-251) 3-Pin, Verlustleistung max.: 20 W, Gleichstromverstärkung min.: 60, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 10 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD45H11-1G THT, PNP Transistor –80 V / -8 A 20 MHz, IPAK (TO-251) 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJD45H11-1G THT, PNP Transistor –80 V / -8 A 20 MHz, IPAK (TO-251) 3-Pin | |
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