Vishay SQJ150EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 66 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0068 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 → 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQJ150EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 66 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay SQJ150EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 66 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |