Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NP82N055PUG-E2-AY
Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NP82N055PUG-E2-AY
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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