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Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

About The Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,01219 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Specifications of Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual
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TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 1.1MΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B1M1E
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 910kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B910KE
    • Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 180-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: QTH-090-01-L-D-A-K-TR

    Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 180-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: QTH-090-01-L-D-A-K-TR

    Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 180-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Ummantelt.

    • Samtec QTH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 120-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: QTH-060-01-L-D-A-RT1
    • Facom Maßband, L. 2m 13 mm metrisch

    Facom Maßband, L. 2m 13 mm metrisch

    213PB. 2m 13 mm metrisch, Offen: Nein, MPN: 893B.Facom Maßband, L.

    • Infineon IPG IPG20N04S4L11AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0116 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Silicon
    • Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,01219 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
    • EPCOS B84144A*R120 EMV-Filter, 520 V ac, 16A, Flanschmontage, Schraub, 3-phasig 9,4 mA / 50 → 60Hz Single Stage, Länge: 80mm, Tiefe: 238mm, Höhe: 60mm, Abmessungen: 80 x 238 x 60mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, MPN: B84144A0016R120
    • Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,01219 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
    • EPCOS B84144A*R120 EMV-Filter, 520 V ac, 16A, Flanschmontage, Schraub, 3-phasig 9,4 mA / 50 → 60Hz Single Stage, Länge: 80mm, Tiefe: 238mm, Höhe: 60mm, Abmessungen: 80 x 238 x 60mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +100°C, MPN: B84144A0016R120