Onsemi QFET FQD3P50TM P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 1,33 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 4,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi QFET FQD3P50TM P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 1,33 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
onsemi QFET FQD3P50TM P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 1,33 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQD3P50TM P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 1,33 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi QFET FQD3P50TM P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 1,33 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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