Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: Micro, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.02mm
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Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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