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Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, Einzeln Typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

About The 9 x 3.: 134 dB, Abmessungen: 4

Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, einzeln typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 2.5MHz, Flankensteilheit typ.: 1.1V/µs, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Rail to Rail: Rail-to-Rail In/Out, Spannungsverstärkung typ.: 134 dB, Abmessungen: 4.9 x 3.9 x 1.45mm, MPN: LMP7702MA/NOPB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Verstärker und Komparatoren > Operationsverstärker

Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, Einzeln Typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

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Specifications of Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, Einzeln Typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

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Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, Einzeln Typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin
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TE Connectivity Switch, Pushbutton; Panel Mount; LED; 1500 VAC (Min.); 2 N.O & 2 N.C; Silver, MPN: 164SL522

TE Connectivity Switch, Pushbutton; Panel Mount; LED; 1500 VAC (Min.); 2 N.O & 2 N.C; Silver, MPN: 164SL522

TE Connectivity Switch, Pushbutton; Panel Mount; LED; 1500 VAC (Min.); 2 N.C; Silver.O & 2 N.

    • KOA RN73H,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 180kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±25ч/млн/°C, Betriebstemperatur min.: +85°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RN73H1JTTD1803B25
    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 27kΩ ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ3RBD2702V
    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ3RBD1500V
    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 68Ω ±0.5% / 0.1W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ6RED68R0V
    • Infineon Diode Thyristormodul 330A 1600V, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 2V, Haltestrom max.: 300mA, Pinanzahl: 7, MPN: TD330N16KOFTIMHPSA1
    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 22Ω ±0.5% / 0.1W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ6RED22R0V
    • Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, einzeln typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

    Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, einzeln typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

    : +125 °C, Betriebstemperatur min. 2,7 → 12 V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.5MHz, Flankensteilheit typ.: 1.

    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 22Ω ±0.5% / 0.1W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ6RED22R0V
    • Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, einzeln typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

    Texas Instruments Operationsverstärker Präzision SMD SOIC, einzeln typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin

    : –40 °C, Rail to Rail: Rail-to-Rail In/Out, Spannungsverstärkung typ. 2,7 → 12 V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: +125 °C, Betriebstemperatur min.