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DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,0075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8

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DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8
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DiodesZetex DMTH43 DMTH43M8LFG-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 24 A, 100 A, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,005 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Fortex Leiterplatten-Ätzgerät zum Ätztank 1 Tanks, MPN: PA110

    Fortex Leiterplatten-Ätzgerät zum Ätztank 1 Tanks, MPN: PA110

    Fortex Leiterplatten-Ätzgerät zum Ätztank 1 Tanks.

    • TE Connectivity PIDG Kabelschuh Flachstift Stecker, Isoliert, Blau, L. 12.57mm, Ummantelt

    TE Connectivity PIDG Kabelschuh Flachstift Stecker, Isoliert, Blau, L. 12.57mm, Ummantelt

    6mm², Minimale Drahtgröße (AWG): 16AWG, Maximale Drahtgröße (AWG): 14AWG, Gesamtlänge: 22.57mm, Ummantelt, Isoliermaterial: Nylon, Minimale Drahtgröße (mm2): 1mm², Maximale Drahtgröße (mm2): 2.63mm, Innendurchmesser: 4.TE Connectivity PIDG Kabelschuh Flachstift Stecker, Isoliert, Blau, L.

    • Bourns AV Varistor, 1.1nF, 47V, 30V ac, 0.3J, Metall / 2.5A, 2000A max., 1210 Gehäuse, 1.3mm, L. 3.2mm
    • DiodesZetex DMT6006 DMT6006SPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16,2 A, 98 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMT6006 DMT6006SPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16,2 A, 98 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMT6006 DMT6006SPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 16,2 A, 98 A, 8-Pin PowerDI5060-8.

    • Bourns SRN8040TA SMD Induktivität, 22 μH 2.45A SRN8040TA mit Ferrit-Kern 8mm / 20%, MPN: SRN8040TA-220M

    Bourns SRN8040TA SMD Induktivität, 22 μH 2.45A SRN8040TA mit Ferrit-Kern 8mm / 20%, MPN: SRN8040TA-220M

    Bourns SRN8040TA SMD Induktivität, 22 μH 2.45A SRN8040TA mit Ferrit-Kern 8mm / 20%.

    • DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
    • DiodesZetex DMT47 DMT47M2LDV-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 11,9 A, 30,2 A., 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,015 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si
    • DiodesZetex DMT47 DMT47M2SFVWQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15,4 A, 49,1 A., 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
    • DiodesZetex DMT47 DMT47M2LDV-7 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 11,9 A, 30,2 A., 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,015 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si