STMicroelectronics Placa De Desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, Frecuencia 80MHZ

Name: STMicroelectronics - STMicroelectronics Placa De Desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, Frecuencia 80MHZ, Clasificación: Placa De Expansión, Para Usar Con: Finalidad De La Evaluación Y Entorno De Desarrollo, Dispositivo Mostrado: L6364Q, STM32L452RE MCU
Brand: STMicroelectronics
SKU: ABDW-101811
Price: 93.62 EUR
Availability: InStock

About The STMicroelectronics Placa de desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, frecuencia 80MHZ, Clasificación: Placa de expansión, Para Usar Con: Finalidad de la evaluación y entorno de desarrollo, Dispositivo mostrado: L6364Q, STM32L452RE MCU

STMicroelectronics Placa de desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, frecuencia 80MHZ, Clasificación: Placa de expansión, Para Usar Con: Finalidad de la evaluación y entorno de desarrollo, Dispositivo mostrado: L6364Q, STM32L452RE MCU

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Rockwell Automation Contactor Allen-Bradley de 3 polos, 1NC + 1NA, 460 A, bobina 48 a 130 V ac/dc, MPN: PN-408627

Infineon MOSFET IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 800 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

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Specifications of STMicroelectronics Placa De Desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, Frecuencia 80MHZ
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Last Updated February 4th, 2025 03:00 pm

STMicroelectronics Placa De Desarrollo P-NUCLEO-IOD02A1, Frecuencia 80MHZ

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STMicroelectronics MOSFET STF35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple

STMicroelectronics MOSFET STF35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

STMicroelectronics Amplificadores operacionales TSB7191IYLT Precisión, 2,7 → 36 V. 22MHZ SOT23-5, 5 pines, Entrada / salida

22MHZ SOT23-5, 5 pines, Entrada / salida, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Único, Raíl a Raíl: Entrada / salida Rail-to-Rail.STMicroelectronics Amplificadores operacionales TSB7191IYLT Precisión, 2,7 → 36 V.

Vishay Condensador electrolítico serie 259 PHM-SI, 330μF, ±20%, 250V dc, de encaje a presión, 23 Dia. x 37mm, paso 10mm

x 37mm, paso 10mm, Capacitancia: 330µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 23mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 3000h, Resistencia de Serie Equivalente: 290mΩ, Corriente de Pérdida: 830 μA, Polarizado: Polar, Corriente de Rizado: 1.Vishay Condensador electrolítico serie 259 PHM-SI, 330μF, ±20%, 250V dc, de encaje a presión, 23 Dia.82A, MPN: MAL225953331E3.

KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 10μF, ±5%, 6.3V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Capacitancia: 10µF, Paquete/Carcasa: 0805 (2012M), Dimensiones: 2 x 1.25 x 1.25mm, Longitud: 2mm, Serie: X FT-CAP, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: C0805X106J9RAC7800

3V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico.KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 10μF, ±5%, 6.

TE Connectivity Carcasa de conector 280590, Serie AMPMODU MOD I, paso: 3.96mm, 2 contactos,, 1 fila filas, Recto,, Género: Hembra, Tipo de Montaje: Montaje de Cable, Longitud: 7.8mm, Anchura: 9.3mm, Material de la Carcasa: PC

96mm, 2 contactos,, 1 fila filas, Recto,.TE Connectivity Carcasa de conector 280590, Serie AMPMODU MOD I, paso: 3.

Infineon MOSFET IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 800 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Infineon MOSFET IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines.