reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines

About The 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 650 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines
More Varieties

Rating :- 9.93 /10
Votes :- 41