Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 650 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 De 3 Pines | |
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