Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPD30N06S4L23ATMA2, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,023 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 16V, Serie: OptiMOS
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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPD30N06S4L23ATMA2, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-252 De 3 Pines
Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPD30N06S4L23ATMA2, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-252 De 3 Pines | |
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