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Toshiba Diodo De Conmutación, CUS520,H3F(T, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines

About The Toshiba Diodo de conmutación, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: CUS520,H3F(T

Toshiba Diodo de conmutación, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: CUS520,H3F(T

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

Toshiba Diodo De Conmutación, CUS520,H3F(T, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines

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Specifications of Toshiba Diodo De Conmutación, CUS520,H3F(T, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines

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Toshiba Diodo De Conmutación, CUS520,H3F(T, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines
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Toshiba MOSFET SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,89e+008 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Material del transistor: Silicio
    • Phoenix Contact Conector macho para PCB serie MC 1.5/ 7-GF-3.5 P26 THR de 7 vías, paso 3.5mm, para soldar, Orientación del Cuerpo: Ángulo de 90°, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Valor Nominal de Corriente: 8.0A, Tensión Nominal: 250,0 V., Material del Contacto: Estaño, MPN: 1789261
    • TE Connectivity Resistencia SMD, 3.3kΩ, ±5%, 0.75W, Película Gruesa, 2010 (5025M) 200V, Serie CRGS, Coeficiente de Temperatura: ≤±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRGS2010J3K3
    • STMicroelectronics MOSFET STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 680 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.

    • Vishay 3.7 x 1.6 x 1.6mm Simple TZMC3V0-GS08 +175 °C 500 mW 4μA 90Ω -65 °C Montaje superficial 3V 1 MiniMELF 2 Diodo, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 4µA
    • Expert by Facom Juego de llaves fijas, Acero al Cromo Vanadio, MPN: E110309

    Expert by Facom Juego de llaves fijas, Acero al Cromo Vanadio, MPN: E110309

    Expert by Facom Juego de llaves fijas, Acero al Cromo Vanadio.

    • Toshiba Diodo de conmutación, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: CUS520,H3F(T
    • Toshiba Transistor JFET, N-Canal, SMV, 5-Pines, MPN: 2SK2145-BL(TE85L,F)

    Toshiba Transistor JFET, N-Canal, SMV, 5-Pines, MPN: 2SK2145-BL(TE85L,F)

    Toshiba Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines.

    • Toshiba Diodo de conmutación, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: CUS520,H3F(T
    • Toshiba Transistor JFET, N-Canal, SMV, 5-Pines, MPN: 2SK2145-BL(TE85L,F)

    Toshiba Transistor JFET, N-Canal, SMV, 5-Pines, MPN: 2SK2145-BL(TE85L,F)

    Toshiba Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines.