Toshiba MOSFET TK62N60X,S1F(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.94mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Toshiba MOSFET TK62N60X,S1F(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 De 3 Pines
Specifications of Toshiba MOSFET TK62N60X,S1F(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 De 3 Pines | |
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