IXYS MOSFET IXFH80N65X2, VDSS 650 V, ID 80 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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IXYS MOSFET IXFH80N65X2, VDSS 650 V, ID 80 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXFH80N65X2, VDSS 650 V, ID 80 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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