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Vishay MOSFET SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos

About The 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, Longitud: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1

Vishay MOSFET SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

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Vishay MOSFET SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos

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Specifications of Vishay MOSFET SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos

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