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Toshiba MOSFET TK19A50W,S5X(M, VDSS 500 V, ID 18,5 A, TO-220SIS De 3 Pines

About The 7V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Toshiba MOSFET TK19A50W,S5X(M, VDSS 500 V, ID 18,5 A, TO-220SIS de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

Toshiba MOSFET TK19A50W,S5X(M, VDSS 500 V, ID 18,5 A, TO-220SIS de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Toshiba MOSFET TK19A50W,S5X(M, VDSS 500 V, ID 18,5 A, TO-220SIS De 3 Pines

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