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Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 65.Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config

Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 65.8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple

EPCOS Condensador de película, 1.2nF, ±5%, 2 kV dc, 700 V ac, Montaje en orificio pasante, Serie: B32672L, Paso del Pin: 15mm, Longitud: 18mm, Longitud del Pin: 6mm, Altura: 10.5mm, Dimensiones: 18 x 5 x 10.5mm, Dieléctrico: Polipropileno metalizado, Tipo terminal: Radial, Factor de Disipación: 0.8 % @ 1 kHz, 1 % @ 10 kHz, 2 % @ 100 kHz, Diámetro del Pin: 0.8mm, MPN: B32672L8122J000
Texas Instruments Amplificador operacional LM7171AIM/NOPB, 5,5 → 36 V 200MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 4100V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.45mm, Longitud: 4.9mm
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Specifications of Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple

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EPCOS Núcleo de ferrita de transformador, N87 ETD 49, 438nH, 43.8 x 22.5 x 15.2mm, Para usar con: Transformadores SMPS, Longitud:: 43.8mm, Ancho: 22.5mm, MPN: B66365G0500X187
    • Hutchinson Le Joint Français Junta tórica de Caucho: DF851 y arandela: acero dulce, Ø int.

    Hutchinson Le Joint Français Junta tórica de Caucho: DF851 y arandela: acero dulce, Ø int.

    7mm, Ø ext.24mm, grosor, Grosor: 1.5mm, Tipo: Juntas pegadas, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +250°C, MPN: 205371 16.

    • RS PRO Resistencia, 1.2MΩ, 1%, 1/2W, Película Gruesa, 2010 (5025M)

    RS PRO Resistencia, 1.2MΩ, 1%, 1/2W, Película Gruesa, 2010 (5025M)

    2MΩ, 1%, 1/2W, Película Gruesa, 2010 (5025M).RS PRO Resistencia, 1.

    • KYOCERA AVX Condensador de polímero TCJ, 33μF ±20%, 4V dc, Montaje en Superficie, dim. 3.2 x 1.6 x 1.6mm, encapsulado

    KYOCERA AVX Condensador de polímero TCJ, 33μF ±20%, 4V dc, Montaje en Superficie, dim. 3.2 x 1.6 x 1.6mm, encapsulado

    6mm, encapsulado, Capacitancia: 33µF, Gama de material dieléctrico: Condensadores de tántalo, Encapsulado: 3216 - 18, Resistencia de Serie Equivalente: 300mΩ, Longitud: 3. 3.

    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 1.5kΩ, ±1%, 0.75W, Película Gruesa, 2010 (5025M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW20101K50FKEF
    • INA Cojinete con brida de Plástico, Ø int. 30mm, montaje: 4 orificios

    INA Cojinete con brida de Plástico, Ø int. 30mm, montaje: 4 orificios

    INA Cojinete con brida de Plástico, Ø int. 30mm, montaje: 4 orificios, Tipo de rodamiento: Rodamiento de brida, MPN: RCJ30-TV-VA-FD.

    • Texas Instruments Amplificador operacional LM7171AIM/NOPB, 5,5 → 36 V 200MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 4100V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.45mm, Longitud: 4.9mm
    • Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple

    8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 65.Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Texas Instruments Amplificador operacional LM7171AIM/NOPB, 5,5 → 36 V 200MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 4100V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.45mm, Longitud: 4.9mm
    • Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple

    3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.Vishay MOSFET SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 65.