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EPCOS Varistor HighE, Tensión De Ruptura 120V, 300A, 190J, 11nF, Dim. 40 (Dia.) X 14mm, Paso 24mm

About The EPCOS Varistor HighE, tensión de ruptura 120V, 300A, 190J, 11nF, dim.) x 14mm, paso 24mm, Máxima Tensión Nominal AC: 75V, Máxima Tensión Nominal DC: 100V, Tensión de Enclavamiento: 220V, Material: Metal, Diámetro: 40mm, Máxima Corriente de Punta: 40000A, Longitud: 60mm, MPN: B72240B0750K001

EPCOS Varistor HighE, tensión de ruptura 120V, 300A, 190J, 11nF, dim. 40 (Dia.) x 14mm, paso 24mm, Máxima Tensión Nominal AC: 75V, Máxima Tensión Nominal DC: 100V, Tensión de Enclavamiento: 220V, Material: Metal, Diámetro: 40mm, Máxima Corriente de Punta: 40000A, Longitud: 60mm, MPN: B72240B0750K001

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Componentes Pasivos > Componentes de Protección contra Sobretensiones > Varistores

EPCOS Varistor HighE, Tensión De Ruptura 120V, 300A, 190J, 11nF, Dim. 40 (Dia.) X 14mm, Paso 24mm

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Specifications of EPCOS Varistor HighE, Tensión De Ruptura 120V, 300A, 190J, 11nF, Dim. 40 (Dia.) X 14mm, Paso 24mm

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Norton Disco de corte de Óxido de Aluminio, Ø 115mm x 1.2mm, RPM máx. 80m/s

Norton Disco de corte de Óxido de Aluminio, Ø 115mm x 1.2mm, RPM máx. 80m/s

Norton Disco de corte de Óxido de Aluminio, Ø 115mm x 1.2mm, RPM máx. 80m/s, Aplicación: Hoja de diamante adecuada para cortar azulejos cerámicos, Modelo: Ceram, MPN: 70184626825.

    • Vishay MOSFET IRFPC60LCPBF, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-247AC de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFPC60LCPBF, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-247AC de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.Vishay MOSFET IRFPC60LCPBF, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-247AC de 3 pines,, config.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Wurth Elektronik Condensador electrolítico serie WCAP-AIL5, 56μF, ±20%, 450V dc, de encaje a presión, 25 (Dia.) x 21mm,, Capacitancia: 56µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Diámetro: 25mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 10mm, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 504 μA, Polarizado: Polar, Corriente de Rizado: 410mA, MPN: 861111484012
    • STMicroelectronics MOSFET STH12N120K5-2AG, VDSS 1.200 V, ID 7 A, Cinta y carrete

    STMicroelectronics MOSFET STH12N120K5-2AG, VDSS 1.200 V, ID 7 A, Cinta y carrete

    200 V, ID 7 A, Cinta y carrete.STMicroelectronics MOSFET STH12N120K5-2AG, VDSS 1.

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