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Texas Instruments Transistor Darlington, ULN2003LVDR, NPN 140 MA, 8 V, SOIC, 16 Pines Emisor Común

About The Texas Instruments Transistor Darlington, NPN 140 mA, 8 V, SOIC, 16 pines Emisor común, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 7, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,49 V, Dimensiones: 10 x 4 x 1.5mm, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Disipación de Potencia Máxima: 580 mW, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: ULN2003LVDR

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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Pares Darlington

Texas Instruments Transistor Darlington, ULN2003LVDR, NPN 140 MA, 8 V, SOIC, 16 Pines Emisor Común

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Specifications of Texas Instruments Transistor Darlington, ULN2003LVDR, NPN 140 MA, 8 V, SOIC, 16 Pines Emisor Común

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